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      • 硫化鎵晶體(百分之99.995) GaS

        硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide) 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

        訪問(wèn)次數(shù):1632
        產(chǎn)品價(jià)格:面議
        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
        更新日期:2024-06-03
      • 硫化鍺晶體(百分之99.995) GeS

        硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide) 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):斜方晶系 晶胞參數(shù):a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

        訪問(wèn)次數(shù):1816
        產(chǎn)品價(jià)格:面議
        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
        更新日期:2024-06-03
      • 二硫化鉿晶體(百分之99.995) HfS2

        二硫化鉿晶體 HfS2 (Hafnium Disulfide) 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

        訪問(wèn)次數(shù):2340
        產(chǎn)品價(jià)格:面議
        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
        更新日期:2024-06-03
      • 二硫化鉬晶體(天然/百分之99)MoS2

        二硫化鉬晶體(天然) MoS2(Molybdenum Disulfide) 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 類(lèi)型:天然晶體 尺寸:~10mm-20mm 純度:99% 屬性:半導(dǎo)體

        訪問(wèn)次數(shù):1872
        產(chǎn)品價(jià)格:面議
        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
        更新日期:2024-06-03
      • 二硫化鉬晶體MoS2-syn-N type

        二硫化鉬晶體(2H-合成/99.995%/n 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:N型半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

        訪問(wèn)次數(shù):1845
        產(chǎn)品價(jià)格:面議
        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
        更新日期:2024-06-03
      • 二硫化鉬晶體MoS2-syn

        二硫化鉬晶體(2H-合成/99.995%/p 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:P型半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%

        訪問(wèn)次數(shù):1782
        產(chǎn)品價(jià)格:面議
        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
        更新日期:2024-06-03
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