二硫化鉬晶體MoS2-syn

簡要描述：二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn
晶體尺寸:~10毫米
電學性能：P型半導體
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

產品型號：
廠商性質：生產廠家
更新時間：2024-06-03
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二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn
晶體尺寸:~10毫米
電學性能：P型半導體
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a 2H-MoS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10