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當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 二維材料 > 其他二維材料 > HQGraphene碘化鎵（碲摻雜）晶體
簡(jiǎn)要描述：碘化鎵（碲摻雜）晶體（99.995%） GaTeI
產(chǎn)品型號(hào)：HQGraphene 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-06-04訪 問(wèn) 量：1770詳細(xì)介紹
碘化鎵（碲摻雜）晶體（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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碘化鎵（碲摻雜）晶體（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
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晶體類型：合成
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（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
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晶體類型：合成
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