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簡要描述：單層石墨烯（進(jìn)口） Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法：熱剝離還原與氫化還原BET比表面積（平方米/克）：400~1000電阻率（Ω?cm）≤0.30分散性：利用聲波降解法可以在大多數(shù)的溶液中進(jìn)行再分散
產(chǎn)品型號：ACSMaterial 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-06-03訪 問 量：1615詳細(xì)介紹
單層石墨烯（進(jìn)口） Single Layer Graphene
高比表面積石墨烯
制備方法：熱剝離還原與氫化還原
BET比表面積（平方米/克）：400~1000
電阻率（Ω?cm）≤0.30
分散性：利用聲波降解法可以在大多數(shù)的溶液中進(jìn)行再分散
重量：500mg
SEM image of ACS Material's Single Layer Graphene
TEM image of ACS Material's Single Layer Graphene (1)
TEM image of ACS Material's Single Layer Graphene (2)
單層石墨烯（進(jìn)口） Single Layer Graphene
高比表面積石墨烯
制備方法：熱剝離還原與氫化還原
BET比表面積（平方米/克）：400~1000
電阻率（Ω?cm）≤0.30
分散性：利用聲波降解法可以在大多數(shù)的溶液中進(jìn)行再分散
重量：500mg
Single Layer Graphene
高比表面積石墨烯
制備方法：熱剝離還原與氫化還原
BET比表面積（平方米/克）：400~1000
電阻率（Ω?cm）≤0.30
分散性：利用聲波降解法可以在大多數(shù)的溶液中進(jìn)行再分散
重量：500mg
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