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      多功能寬密度等離子體

      簡(jiǎn)要描述:NextCVD等離子體改性及刻蝕多功能寬密度等離子體國(guó)內(nèi)的電感耦合等離子體都是基于中頻13.56MHz的電源發(fā)生器,等離子體密度較低,而且是螺旋管式,主要用于等離子體刻蝕,不適宜用于沉積高質(zhì)量薄膜。

      • 產(chǎn)品型號(hào):ICP-LP-PE-CVD
      • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間:2024-06-03
      • 訪  問(wèn)  量:2633

      詳細(xì)介紹

      巨納集團(tuán)NextCVD系列多功能寬密度等離子體CVD(ICP-LP-PE-CVD)結(jié)合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優(yōu)點(diǎn),可在寬密度工藝范圍(109-1013 cm-3)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的等離子體輔助CVD,具有優(yōu)良的材料處理性能和廣泛的應(yīng)用范圍,是目前功能強(qiáng)大的等離子體CVD系統(tǒng)。

      NextCVD 的原創(chuàng)性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統(tǒng)。頻率可調(diào)節(jié),從低頻0.5- 4MHz范圍內(nèi)調(diào)節(jié);電感天線是平板式,可根據(jù)客戶要求改變天線的形狀、大小,從而實(shí)現(xiàn)兩種不同的放電模式:電感放電和電容放電,兩種模式下都能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定放電,兩種模式的等離子體特性截然不同,可以實(shí)現(xiàn)不同的功能。

      多功能寬密度等離子體等離子體改性及刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)

      基片臺(tái)可電動(dòng)旋轉(zhuǎn)、可加熱、可升降

      配裝手動(dòng)高真空插板閥、手動(dòng)角閥、電腦復(fù)合真空計(jì)

      由于采用了超高真空密封技術(shù),極限真空度高,沉積室可進(jìn)入10-5Pa量級(jí),可保證更高的鍍膜純凈度,提高鍍膜質(zhì)量

      自動(dòng)監(jiān)控和保護(hù)功能,包括缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)等

      配備可開(kāi)關(guān)觀察窗,方便觀察及取樣品

      設(shè)備真空系統(tǒng)采用分子泵+機(jī)械泵真空機(jī)組

      采用磁力耦合傳動(dòng)密封技術(shù)密封運(yùn)動(dòng)部件

      真空規(guī)用金屬規(guī),刀口金屬密封

      性能技術(shù)參數(shù)

      設(shè)備極限真空度:5.0×10-5Pa(等離子體沉積腔室)。5.0×10-1Pa進(jìn)樣室

      高密度等離子體:電子密度高能達(dá)到1013 cm-3

      氣體物離化率:1-10%

      電感耦合離子體電源發(fā)生器頻率從0.5-4 MHz可調(diào),功率可從0-5000 W調(diào)節(jié)

      電感天線有橢圓和圓形兩種,相應(yīng)等離子源石英窗口形狀也有橢圓和圓形兩種,相應(yīng)等離子體放電模式也有電感和電容模式兩種,可根據(jù)用途選擇。等離子體源石英窗口大小可根據(jù)要求進(jìn)行調(diào)節(jié)

      供電:~380V三相供電系統(tǒng)(容量7KW),冷卻水循環(huán)量1M3/H,工作環(huán)境溫度10℃~35℃,冷卻水溫度18℃~25℃

      設(shè)備占用面積12M2(設(shè)備安裝面積4M×3M)

      進(jìn)樣室上方窗口(玻璃橡膠圈密封):¢20cm

      沉積室抽氣口在底部,樣品架的兩邊抽氣,有利于薄膜的均勻沉積

      設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī)12小時(shí)后,真空度≤10Pa

      從大氣到抽到≤7×10-4Pa,小于45min(新設(shè)備充干燥氮?dú)?,提高了工作效率

      樣品臺(tái)可旋轉(zhuǎn),速度:0~25轉(zhuǎn)/分 可控可調(diào)。(樣品臺(tái)尺寸¢200mm)

      基片尺寸¢6英寸(根據(jù)用戶需要可變)

      樣品臺(tái)加熱器溫度:室溫~500±1℃。溫度可控可調(diào)

      基片最大升降距離0~100mm可調(diào)

      配備2支¢3英寸磁控靶,其中一支可鍍鐵磁材料,磁控靶可伸縮

      磁控濺射靶電源:射頻源 500W、13.56MHz;直流濺射電源,500W

      缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)

      應(yīng)用領(lǐng)域:

      光伏行業(yè)(氮化硅/非晶硅/微晶硅/等離子體織構(gòu)與刻蝕)

      新型二維材料(石墨烯/二硫化鉬等的表面改性及制備)

      半導(dǎo)體工藝(刻蝕工藝/氮化硅與二氧化硅工藝等)

      納米材料的生長(zhǎng)與納米形貌的刻蝕構(gòu)造

      石墨烯氫等離子體可控改性

      氬等離子體可控改性:引入空位缺陷

      氫等離子體可控改性:引入SP3缺陷

       

       

       

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