電化學(xué)顯微鏡是一種掃描探針技術(shù)，可測(cè)量溶液中樣品的局部電化學(xué)活性。反饋模式是SECM常見的形式，它測(cè)量氧化還原介質(zhì)與樣品相互作用的法拉第電流，從而產(chǎn)生固有的化學(xué)選擇性。研究表明，當(dāng)探針靠近樣品時(shí)，即使樣品沒有偏壓，偏壓探針測(cè)得的與溶液中氧化還原介質(zhì)相互作用的信號(hào)也會(huì)受到影響，靠近也會(huì)受到影響絕緣樣品。此外，SECM測(cè)量的信號(hào)取決于探針和樣品之間的距離。掃描電化學(xué)顯微鏡利用這種現(xiàn)象來描述樣品的電化學(xué)活性和形態(tài)。自引入和商業(yè)化以來，SECM已成為受歡迎的掃描探針電化學(xué)技術(shù)。引入的直流(dc)SECM格式提供的靈活性在SECM和一些恒定距離SECM模式而得到擴(kuò)展。
在電化學(xué)顯微鏡SECM中，由于電化學(xué)活性物質(zhì)（氧化還原介質(zhì)）在間隙中擴(kuò)散并在氧化產(chǎn)生的UME法拉第電流下減少，因此超微電極（UME）探針以已知電位偏置并保持在樣品附近進(jìn)行測(cè)量。測(cè)得的法拉第電流反映了樣品的電化學(xué)活性。在簡(jiǎn)單的SECM反饋模式下，樣品在開路電位(OCP)下保持無偏。
電化學(xué)顯微鏡有很多優(yōu)點(diǎn)。使用SECM可以局部檢測(cè)樣品的電化學(xué)活性。在宏觀電化學(xué)中，測(cè)量的是整個(gè)樣品的平均值，這意味著可能對(duì)測(cè)量有很大影響的局部特征和過程無法與其他特征區(qū)分開來。這些效果可以通過使用SECM來可視化。例如，用SECM來測(cè)量新材料晶粒和晶界的電化學(xué)特性，這些特性通常對(duì)系統(tǒng)整體電化學(xué)特性有不同的影響，否則很難區(qū)分。此外，SECM是一種非接觸式技術(shù)，與原子力顯微鏡(AFM)等其他局部測(cè)量技術(shù)相比，它可以在更大的探針到樣品距離下進(jìn)行。這在測(cè)量容易因接觸而損壞的易碎樣品時(shí)尤其有利。
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